Лазерный станок со сменным столом и защитой OR-P 3015

Основное применение лазерных станков OR- P для резки, гравировки, пробивки отверстий в листовом металле с высокой точностью и качеством обработки по контуру: нержавеющей стали, углеродистой стали, легированной стали, меди, алюминия, золота, серебра, титана и другого металлического листа.

• ЦЕЛЬНОЛИТАЯ ЧУГУННАЯ СТАНИНА!
• Автоматическая смена столов, для увеличения производительности оборудования.
• Защитная кабина по нормативам СЕ.
• В оптоволоконных лазерных станках OREE LASER используется координатный стол портального типа. При обработке лист неподвижен.
• Зона резки располагается в специальной гермозоне с возможностью подключения внешней вытяжки.
• Лазерное излучение генерируется иттербиевым волоконным лазером мощностью от 1000 до 4000Вт.
• Пневматическая система обеспечивает подачу в зону реза от внешних магистралей воздуха, кислорода или инертного газа.
• Фокусирующая оптическая система снабжена бесконтактным емкостным датчиком, что позволяет автоматически поддерживать постоянное положение фокуса режущей головы относительно обрабатываемого листа, и обеспечивает высокое качество реза.
• Система подачи вспомогательного газа позволяет использовать три различных типа газа (кислород, азот, воздух), система оборудована программно-управляемой настройкой давления вспомогательного газа О2.
• Для удаления газов, образующихся в процессе резки, предусмотрена специальная система вытяжки.
• Система транспортировки луча (оптоволокно) не требует специального обслуживания, в отличии от «летающей оптики», используемой в лазерных Станках с CO2 лазером, что существенно снижает расходы по эксплуатации станка.
• В Лазерных Станках OREE LASER используются иттербиевые волоконные лазеры что исключает необходимость использования смесей высокоочищенных газов и не предполагает наличия турбины, зеркал и пр., что также существенно понижает эксплуатационные расходы.
• Ресурс работы лазерного источника составляет порядка более 100 000 часов непрерывной работы.
• КПД используемого лазерного источника достигает 35 %.
• Станок оснащен дополнительным полупроводниковым лазером видимого спектра излучения для точного позиционирования заготовки.
• Лазерный Станок оснащен высокоразвитой системой самодиагностики.